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存储器

动态存储器的工作原理

动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64k地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。

串行存储器和并行存储器

在定义了应用系统之后，微控制器的选择是决定选择串行或并行存储器的一个因素。对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器，这时必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。

较小的应用系统通常使用带有内部存储器但没有外部地址总线的微控制器。如果需要额外的数据存储器，外部串行存储器件是-的选择。大多数情况下，这个额外的外部数据存储器是非易失性的。

根据不同的设计，引导存储器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器没有内部存储器，并行的非易失性存储器件对大多数应用系统而言是正确的选择。但对一些高速应用，可以使用外部的非易失性串行存储器件来引导微控制器，并允许主代码存储在内部或外部高速sram中。

存储器密度是决定选择串行eeprom或者闪存的另一个因素。市场上可用的独立串行eeprom器件的容量在128kb或以下，独立闪存器件的容量在32kb或以上。

如果把多个器件级联在一起，可以用串行eeprom实现高于128kb的容量。-的擦除/写入耐久性要求促使设计-选择eeprom，因为典型的串行eeprom可擦除/写入100万次。闪存一般可擦除/写入1万次，只有少数几种器件能达到10万次。

今天，大多数闪存器件的电压范围为2.7v到3.6v。如果不要求字节寻址能力或-的擦除/写入耐久性，在这个电压范围内的应用系统采用闪存，可以使成本相对较低。